同惠电子 TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪

性能特点:

■单通道和双通道 N/P或组合器件测试

(MOSFET、IGBT以及二极管）

■可测试高达2500V雪崩电压、200A峰值电流等级设备

■支持单脉冲雪崩测试（EAS)、重复雪崩能量测试(EAR）、

重复脉冲至失效测试(RPF)

■高速校准DAC可提升测试精度

■用户可调节的电源电压(10V至150V)稳定可靠

■漏极、源极接触检查电路可检测20Ω以下的接触电阻，提

供报错提示(LED)

■可设栅极驱动电压(最大电压差:30V，最大电压值:28V)适

应不同被测件所需

■可在雪崩前、雪崩后进行可调值的泄漏测试、以确定被测

件当前状态

■高速固态开关、带故障检测功能

■高精度的电流和电压波形捕捉以及雪崩持续时间捕捉

■7寸24位色TF LCD电容式触摸屏，中英文可选操作界面，

用于单机操作、输入测试规格以及提供测试数据显示。

■提供指令用于用户将屏幕信息存储于U盘

■仪器有开机自检和在线自检功能、为用户排查仪器内部故

障问题

■配备简单自动校准程序，用户可现场进行校准

■配备多种接口:用于远程测试控制的GPIB接口、前后面板各配备一个的高速串行接口、支持高速传输数据的LAN

口。 LAN口不仅可用于远程测试控制,在用户需要观测即时

测试波形时，可使用 LAN口搭配上位机程序查看每一一次

的波形数据

■可与TH530-01 可编程电感负载箱(0.01 至159.9mH)或外部电感器配合使用

■可外接示波器触发器输出，同步可视化雪崩测试过程，用

于准确测量雪崩时间

概述:

TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。

主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等）。通过给被测器件施加可控制的感性能量，判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件，就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。

TH530-25100A

TH530-25100B

TH530-25200A

TH530-25200B

A. 泄漏测试:可选择启用

每次雪崩测试前，在栅极电压设置为0的情况下，用户设置的泄漏电压会被施加到被测件上，读取电流检测器测量值。根据测试仪的设置，可以在雪崩测试前、测试后或测试前后对被测件进行泄漏测试。这不是测量实际漏电电流，而是确定被测件...